안녕하세요, 답변이 늦어 죄송합니다.
사실 사진을 첨부해주셔서 어떤 문제에 대한 질문인지는 알지 못하겠으나, 질문 주신 내용 토대로 답변드리겠습니다.
사실 학부 수준에서는 온도가 변하더라도 밴드갭은 변하지 않는다고 생각하셔도 될 것 같습니다. 하지만 페르미 레벨의 위치는 바뀔 수 있습니다. 그렇기 때문에 Ec-Ef도 변하는 것이구요.
예를 들어 n-type 도핑이 되었을 때 페르미 레벨이 가운데보다 위로 올라가는 것은 도너 레벨에 있던 전자들이 쉽게 올라갈 수 있기 때문이죠?
하지만 온도가 높아질수록 valence band에 있던 전자들이 conduction band로 올라가기가 더 쉬워지고, 이러한 모습은 마치 intrinsic semiconductor와도 같아서 보통 온도가 높아질수록 Ef는 Eg/2에 가까워지는 경향이 있습니다.
fermi level temperature dependence 라는 키워드로 검색하셔도 온라인에서 좋은 정보들 많이 얻으실 수 있을겁니다.
이런 수준의 질문도 반도체를 어느정도 이해했기 때문에 할 수 있는 질문인데 굉장히 좋은 질문 감사합니다. 궁금한 게 또 생긴다면 언제든지 물어봐주세요!