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강좌 정보

강좌 정보
강좌 범위 반도체 공학의 기초적인 개념 설명
강좌 특징

"물리학 또는 양자역학적 개념이 부족한 학생들도
반도체 회로에 적용되는 물리적 특성을 쉽게 설명하여 이해를 돕는다"


[강좌 특징]
1) 막연한 두려움을 간단한 기본원리를 통하여 기초반도체공학을 완전 정복
2) 기존 대학 수업과 다르게 마치 수능 인강을 보는 듯한 쉬운 설명
3) 딱딱하지 않고 유연한 개념 제시

※ 교재 : 기초반도체공학, 복두출판사, 저자 : 윤현민 외 1명, 출판일 : 2013.03.11
※ 교재는 직접 구입하시거나 대학 도서관 등을 이용 부탁 드립니다.
※ 개정판 교재의 경우 일부 강의와 차이가 있을 수 있으나 수강이 가능합니다.
인터넷 서점 바로가기 >>>

수강 대상
• 대학 전공과목인 전자기학을 시작부터 포기하고 싶은 학생
• 기초가 부족해서 전자기학을 전혀 이해하기 힘든 학생
• 전기기사자격증 시험을 계획 중인 수험생
• 기술직(전기) 공무원 시험을 준비하는 수험생
• 중고등학교때 물리 과목을 전혀 공부하지 않은 학생

교재 정보

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강의 목차

강의 목차
차시 강의명 강의시간
OT OT 22분
1강 기초이론 전자볼트 (1.1 ~ 1.2절) 45분
2강 반도체 구조 및 성질 (1.3 ~ 1.5절) 50분
3강 에너지밴드 구조 (1.5.2절, 1.7절) 45분
맛보기 고체전자기초 (1.6절, 2.1 ~ 2.2절) 38분
5강 금속,반도체,절연체 에너지밴드 (1.8절, 2.3절 ~ 2.7절) 59분
6강 1~2장 Review. 3.4장 43분
7강 반도체의 전자전도 (드리프트, 확산) 44분
8강 PN접합 기본이론 (4.1절 4.2절 4.4절) 49분
9강 PN접합 접촉전위차 (4.3.2 ~ 4.3.3 절) 39분
10강 이상적 p-n 라이오르 동작 (라이오르 전류식) 41분
11강 PN다이오드 동작 특성 (5-2절) 19분
12강 PN다이오드의 역방향파괴 현상 (5.3절) 22분
13강 금속-반도체 정류성 및 오믹접촉 (5.8절 에너지밴드)) 34분
14강 바이폴라 트랜지스터 기본동작 (6.1 ~ 6.4) 34분
15강 BJT 실제 동작특성 (6.5절) 33분
16강 FET 소자 특성 및 소개 13분
17강 JFET 동작 특성 (7.1절) 28분
18강 MOS-C 이상적모드 (7.2절) 37분
19강 MOS-C 실제 Model (7.3절) 42분
20강 MOSFET (7.4절 ~ 7.5절) 23분